Infineon英飞凌IGBT模块
IGBT概念
浏览:1972  来源:德政  日期:2017-12-04

IGBT概念(Insulated Gate Bipolar Transistor)


绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管和MOS管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,IGBT通俗来讲就是一个频率比较高的开关(为何IGBT有如此重大的作用,几种起动方式 直接起动 星三角起动 软启动 变频起动 几种起动方式的区别和优缺点 )


IGBT电路结构图
(G极=栅极;C极=集电极;E极=发射极)

                              

 

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