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Infineon英飞凌IGBT模块

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SUNON建准 DELTA台达 DAP散热风扇 Infineon英飞凌IGBT模块

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IGBT的关键

IGBT的关键：散热和背板工艺
IGBT的关键有两点，一是散热，二是背板工艺。
IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS没区别，区别在背面，背面工艺有几点，首先是减薄，大约需要减薄6-8毫米，减得太多容易碎

模块的主要优势

模块的主要优势有以下几个：多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯

新能源汽车的核心：IGBT

对新能源车来说，电池、VCU、BSM、电机效率都缺乏提升空间，最有提升空间的当属电机驱动部分，而电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝对新能源车来说，电池、VCU、BSM、电

英飞凌芯片

2017年世界十大强国GDP排行，中国第二，进一步缩小与美国的差距。但是芯片产业的现状不容乐观。中国进口的第一大项目，是芯片而非石油。2016年芯片进口额超过2200亿美元。2017年随着内存芯片的疯狂上涨，这个数字应该只会增加不会减少。这

IGBT(绝缘栅双极型晶体管) 就是大功率的开关器件，广泛应用于轨道交通、航空航天、新能源和汽车电子等领域。被称为功率变流装置的“CPU”和“核芯”。IGBT模块则包含了IGBT芯片设计、芯片

IGBT与MOSFET的对比

1. MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。MOSFET工作原理和IGBT模块类似。
2. 主要优点：热稳定性好、安全工作区大。
3. 缺点：击穿电压低，工

IGBT的主要参数

IGBT的主要参数 1. 管压降Ucesat::IGBT导通时，从C极到E极的电压下降数值（任何电子元器件工作时都有一定的损耗，这时候可以把CE看成一个电阻，电流通过时，需要降低一定的电压）
2. 集电极-发射极阻断电压

英飞凌RT4系列

英飞凌推出RT4系列高性价比IGBT模块，此系列属于英飞凌IGBT4系列的延续产品，拥有压降小、关断损耗小、开关频率高、售价低等多项优异性能，主要应用于高功率逆变电源、变频器、电焊机、电机驱动、UPS电源，另外可以替换西门康128、12V系

英飞凌IGBT型号选择

英飞凌IGBT型号选择选用英飞凌IGBT时，经常看到有不同的几个系列KE3，KT3，KT4，KS4
1200V系列IGBT模块
1600V系列IGBT模块
1700V系列IGBT模块

英飞凌模块命名规则

英飞凌模块命名规则

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