IGBT的主要参数
1. 管压降Ucesat::IGBT导通时，从C极到E极的电压下降数值（任何电子元器件工作时都有一定的损耗，这时候可以把CE看成一个电阻，电流通过时，需要降低一定的电压）
2. 集电极-发射极阻断电压Uces:栅极和发射极短路时，集电极和发射极直接的电压。这时集电极电流很小，通常等于Ices
3. 集电极电流Ic,Ic,nom:通常称作集电极电流，也表示最大连续集电极直流电流。
4. 开关损耗Eon:是指IGBT导通时的损耗。导通：是指在栅极施加一个高于栅压门限值的电压时，沟道导通，IGBT就可以工作了。
5. 开关损耗Eoff:是指IGBT关断时的损耗。关断：是指在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内，IGBT就关段了。
6. 重复峰值集电极电流Icrm：在实际t中（一般是1ms）最大的重复电流。很多厂商指导的Icrm的值是Ic,nom的两倍。
