Infineon英飞凌IGBT模块
IGBT与MOSFET的对比
浏览:1542  来源:德政  日期:2018-01-11

 1. MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。MOSFET工作原理和IGBT模块类似。


2. 主要优点:热稳定性好、安全工作区大。


3. 缺点:击穿电压低,工作电流小。


4. IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。


5. 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

网站首页 | 关于我们 | 产品展示 | 工程案例 | 新闻中心 | 在线反馈 | 人才招聘 | 联系我们
  广州德政电子科技有限公司 2024 版权所有   技术支持:艺琼网络
  联系地址:广州市白云区石井滘心旧庄中街A栋五楼 TEL:020-37417289 电子邮箱:dapfan01@163.com